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【三星正为英伟达开发8层HBM4E】金十数据8月31日讯,据韩国媒体报道,三星电子正配合英伟达(NVDA.O)要求开发8

文 / 小金 2026-08-31 13:30:02 来源:亚金网

【三星正为英伟达开发8层HBM4E】金十数据8月31日讯,据韩国媒体报道,三星电子正配合英伟达(NVDA.O)要求开发8层第七代高带宽存储器(HBM4E),较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度,英伟达提出的速度规格为17-18Gbps,较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%,该产品据报将用于NVHBM。

 

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